為緊跟國際功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展步伐，推動我國新型半導(dǎo)體功率器件技術(shù)水平進一步提高，加快其成果轉(zhuǎn)化和應(yīng)用推廣，增強自主創(chuàng)新能力。由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件分會主辦的“第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會”于2023年11月23～25日在廣州召開。雅馬拓科學(xué)受邀參會，并向大會做“功率半導(dǎo)體用陶瓷基板熱阻測試 “的主題報告。
報告摘要：
隨著新一代功率半導(dǎo)體（SiC、GaN）技術(shù)的加速開發(fā)，功率半導(dǎo)體向小型化、高效化方向發(fā)展，因其擁有更節(jié)能、更高功率輸出和更高速運行的前景而受到越來越多的期望。下一代功率半導(dǎo)體芯片將提供更高的輸出和更高的能量密度，預(yù)計在不久的將來，芯片結(jié)溫將從150℃ 提高到250℃，因此功率半導(dǎo)體的散熱技術(shù)變得比以往任何時候都更加重要。
雅馬拓科學(xué)自2016年11月開始聯(lián)合大阪大學(xué)封裝研究所開展「新一代功率半導(dǎo)體基板的熱特性評價方法」的共同研究，同時推動了該評價方法的ISO國際標(biāo)準(zhǔn)化工作。2023年1月，ISO4825-1標(biāo)準(zhǔn)1正式全球發(fā)布。
“基板”是影響功率半導(dǎo)體散熱的核心部件，雅馬拓科學(xué)基于上述共同研究的成果，開發(fā)了專門針對陶瓷基板的「熱阻測試儀」 以及「TEG芯片」，并同步在日本、中國、美國、歐洲申請了國際專利（專利申請中）。
會議現(xiàn)場：
以上配圖來自“第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會”，僅作宣傳用途。
[1] ISO 4825-1:2023 國際標(biāo)準(zhǔn)：https://www.iso.org/standard/80379.html
